தமிழ் வானலையியல் அருஞ்சொற்பொருள்/TAMIL RF GLOSSARY

 

A - வரிசை

AUTOMATIC GAIN CONTROL (AGC) - தன்மிகைப்புக் கட்டுப்பாடு

AVALANCHE DIODE - வெள்ளவுடைவி - "வெள்ளவுடை இருமுனையம்" என்பதன் குறுக்கம்; ஒரு சிறப்பு இருமுனையம்; இதில் ஒரு குறிப்பிட்டப் பின்னோக்குச் சாருகையில் வெள்ளவுடைவு (avalanche breakdown) ஏற்படுகிறது. இத்தகைய இருமுனையங்கள் வானலை இரைச்சல் (RF noise) உற்பத்தியில் பயனாகின்றன. எனவே, இவை வானலை அளவைத் தளவாடங்களில் (RF measurement equipment) இரைச்சல் மூலங்களாக (noise sources) பயனாகிறது. வெள்ளவுடைவு பழுதுறா (non-destructive) நிலை என்பதால், இச்சாதங்கள் பாதுகாப்பும் பண்பும் கொண்டுள்ளன. இதை "இரைச்சல் இருமுனையம்" (noise diode) என்றும் அழைப்பர்

 

B - வரிசை

BANDWIDTH - பட்டையகலம்

 

C - வரிசை

CIRCULATOR - சுழலடை - ஒரு உயிர்ப்பற்ற மின்னணு பலதுறைச் சாதனம் (multi-port device), இதில் ஒரு துறைக்குள் செலுத்தப்பட்ட வானலைக் குறிகை அடுத்தத் துறைக்கு மட்டும் மாற்றப்படுகிறது

CODE DIVISION MULTIPLE ACCESS (CDMA) - குறியீடு பிரிப்புப் பன்னனுகல்

CONTINUOS WAVE (CW) - தொடர்ந்த அலை

 

D - வரிசை

DIRECTIONAL COUPLER - திசைப்பிணைப்பி

DMOS (DOUBLE DIFFUSED MOSFET) - இருவிரவலி, இரட்டை விரவல் மாழையுயிரகி - இந்த மாழையுயிரகி அமைப்பில் எதிரக அடத்தளம் குறை மாசு நிலையில் உள்ளது (lightly doped n-substrate), எனவே குறைபாடகம் (depletion region) விரிவுபட இயலும். இவ்வாறு உடைவு மின்னழுத்தம் அதிகமாகும் படம்

 

E - வரிசை

 

F - வரிசை

FREQUENCY (RADIO SIGNAL) - அலைவெண், மீடிறன்

FINFET - துடுப்புலவிளைவி, துடுப்புப் புலவிளைவி - பல வாயில்வாய் கொண்ட மாழையுயிரகி, இது அமைந்துள்ள அடித்தளம் (substrate) மீது வாயில்வாய் தடத்தின் இரண்டு, மூன்று அல்லது நான்கு முனைகளில் அமைக்கப்படும். இச்சாதனத்தின் நிலைமாறு வேகம் மற்றும் திணியடர்வு (packing density) நிரப்பு மாழை உயிரகத்தை விட பல மடங்கு அதிகம்

 

G - வரிசை

GANGING - கூட்டியக்கம்

GAUSSIAN MINIMUM SHIFT KEYING (GMSK) - காசிய மீச்சிறு பெயர்வு இணைத்தல் - மீச்சிறு பெயர்வு இணைத்தல் பண்பேற்றத்தில் நிறமாலை தரவு வீதத்தின் பருமை (magnitude of data rate) அளவு வரை நீடிக்கிறது. மீச்சிறு பெயர்வு பண்பேற்றத்திற்கு முன்பு ஒரு காசிய தாழ்ப்ட்டை வடிப்பி (gaussian low pass filter) அமைக்கப்படுகிறது. இவ்வடிப்பியின் மறுமொழிப்பண்பு என்னவென்றால் துண்டிப்பு அலைவெண் கூர்மையாகவும், அதன் கனத்தாக்க மறுமொழியில் (impulse response) மேற்பாய்வு (overshoot)சிறிதாகவு அமையவேண்டும். இந்த வடிப்பால்

 

H - வரிசை

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) - நகர்மையி - 'உயர் மின்நகர்மைத் திரிதடையம்' என்பதன் குறுக்கம்; ஒரு வகை புலவிளைவி (FET), இதில் சந்திப்பகுதி இரண்டு வெவ்வேறு பட்டையிடுக்கு (band-gap) கொண்டுள்ள மூலதனங்களால் மாசிடப்படுகிறது. மென்தங்கம் பிறாக்காண்டம் (galium arsenide - GaAs), அளமியம் மென்தங்கம் பிறாக்காண்டம் (Aluminium Galium Arsenide - AlGaAs), மென்தங்கம் ருசரகம் (Galium Nitride - GaN) போன்ற மூலதங்கள் பயனாகின்றன. சாதரண மண்ணியப் புலவிளைவிகளில் (silicon FETs), எதிர்மின்னிகளின் நகர்வு (mobility) மோதல்களால் மெல்லப்படுத்தப்படுகிறது. நகர்மையியின் கலப்பினச்சந்தியின் (heterojunction) ஒரு பக்கத்தில் அதிக மாசிடப்பட்ட நேரகத்தில் (n-region) அகலப் பட்டையிடுக்கு (wide band-gap) அளமியம் மென்தங்கம் பிறாக்காண்டமும் (AlGaAs) இன்னொரு பக்கத்தில் எதிரகத்தில் (n-region) குறுகியப் பட்டையிடுக்கு மாசற்ற மென்தங்கம் பிறாக்காண்டம் (GaAs) அமைந்துள்ளதால், உயந்த எதிர்மின்னி நகர்மைக் (high electron mobility) கொண்டுள்ள மெல்லிய மண்டலம் உருவாக்கப்படுகிறது. இத்தகையச் சாதனங்களில் சந்தியின் இருப்பக்க மூலதனங்கள் ஒரே நெய்யரி மாறிலியுடன் (lattice constant) அமைவது செயற்திறனுக்கு அவசியமானது. நகர்மையிகளின் மின்னோட்ட மிகைப்பு அலைவெண் (current gain frequency) 600GHzக்கு மேலாகவும் மின்திறன் மிகைப்பு அலைவெண் (power gain frequency) 1THzக்கு மேலாகவும் காண்பிக்கின்றன.

HETERODYNE - கலக்கிப்பிரிப்பி -

 

I - வரிசை

INTERMEDIATE FREQUENCY (IF) - இடையலை - கலக்கிப்பிரிப்பான் (superheterodyne) பெறுவிகளில், பெறப்படும் வானலை உள்ளக அலைப்பியுடன் (local oscillator) கலக்கப்பட்டு வானலை அலைவெண்ணிற்கு குறைந்த இடையக அலைவெண் குறிகையாக மாற்றப்படுகிறது. இடையலை குறைந்த அலைவெண்ணாக இருப்பின், பெறுவியின் தேர்திறன் நன்றாக அமைகிறது. இதற்கு மாறாக இடையலை அதிக அலைவெண்ணாக இருப்பின், பிம்ப அலைவெண் தேவையான குறிகை அலைவெண்ணிற்கு இன்னும் தள்ளி அமைவதால் பிம்ப மறுப்பு (image rejection) நன்கமைகிறது. ஒரு பெறுவியில் அதிக வானலைக் கூற்றுக்கள் இருப்பின், குறிகை அலைவெண்ணிற்கு அருகில் உள்ள பிம்ப அலைவெண்ணை மறுக்கும் திறன் நன்றாக அமையும், அப்போது குறைந்த இடையலை அலைவெண்ணை பயன்படுத்தலாம்.

INTERMODULATION - இடைப்பண்பேற்றம்

INTERMODULATION DISTORSION (IM3) - இடைப்பண்பேற்ற உருக்குலைவு - ஒரு பெறுவி, மிகைப்பி அல்லது கலப்பியின் உருக்குலைவை (distorsion) அல்லது நேரியலின்மையை (non-linearity) விவரிக்கும் கூற்றளவு. ஒரு தொனி ஒரு பெறுவியிடம் தரப்படும் போது அப்பெறுவியின் நேரியலின்மையால் (non-linearity) அத்தொனியின் இசையங்கள் (harmonics) தோன்றுகின்றன. இதில் இரண்டாம் வரிசை இசையங்கள் (second order harmonics) வேண்டியத் தொனிகளுக்குத் தள்ளி வருவதால் வடிப்பிடப்பட இயல்கிறது. மூன்றாம் வரிசை இசையங்கள் (second order harmonics) வேண்டிய தொனிகளுக்கு அருகில் அமைவதால் இவைகளை பிரித்தெடுக்க இயல்பதில்லை. வேண்டியத் தொனிகளும் மூன்றாம் இடைப்பண்பேற்ற உருக்குலைவுத் தொனிகளுக்கு (third order intermodulation harmonics) இடையே உள்ள திறன் மட்ட வேறுபாடு (power level difference) இந்த IM3 அளவாகும்.

I/Q MODULATION - உள்கட்ட/செங்கட்டப் பண்பேற்றம் - எண்ணியல் வானலை பண்பேற்றப்பட்டக் குறிகைகள் 90° இடைவெளி கொண்டுள்ள உள்கட்டம் (inphase) மற்று செங்கட்டம் (quadrature phase) ஆகிய உறுப்புகளாக மாற்றப்படுகின்றன. இந்த I, Q உறுப்புக்கள் பிறகு எண்ணாக்கப்படுகின்றன

 

J - வரிசை

 

K - வரிசை

KLYSTRON - கற்றையலைப்பி/கற்றையலைவி - நுண்ணலைகளை ஏற்படுத்தும் சாதனம்; இது ஒரு தன்ப்பட்ட நேரியல் எதிர்மின்னிக் கற்றை வெற்றிடக்குழல் (linear electron beam vacuum tube)

 

L - வரிசை

LDMOS (LATERALLY DIFFUSED MOSFET) - பக்கவிரவலி, பக்கவாட்டு விரவல் மாழையுயிரகி - இச்சாதனத்தில் ஒரு விரவல் ஒரு நேரகம் (p region) முதலில் உருவாக்கப்பட்டு, அதன் மீது மூலவாய் வடிவாய என இரண்டு களப்பு மிகுமாசு எதிரகங்கள் (shallow n+ regions) ஏற்படுத்தப்படுகின்றன. மிகுமாசு நேரகம் (p+) உடல் நேரகத்துடன் (body p) தொடுகையிடப்பட்டு மூலவாயுடன் இணைக்கப்படுகிறது. இது உடல் விளைவை (body effect) நீக்குகிறது. இச்சாதனத்தில் நிகழ் மின்தடுப்பு மிகக்குறைவு. இச்சாதனம் மின்னூட்டணுப் பதித்தல் (ion implantation) மற்றும் விரவல் (diffusion) முறையில் தயாராகிறது படம்

LOCAL OSCILLATOR - உள்ளக அலைப்பி

LOW NOISE AMPLIFIER - தாழிரைச்சல் மிகைப்பி - ஒரு தொடர்பியல் முறைமையில், அலைக்கம்பத்திலிருந்து (antenna) பெறப்படும் மெல்லிய குறைகையை மிகைப்படுத்தும் சாதனம். தாழிரைச்சல் மிகைப்பி மூலமாக பின்வரும் கூற்றுளில் உள்ள இரைச்சல் இம்மிகைப்பியின் மிகைப்பு வீதம் குறைக்கப்படுகிறது, மேலும் சிறிதளவு இரைச்சல் மட்டும் இம்மிகைப்பியால் உட்செலுத்தப்படுகிறது (ஃப்ரீ வாய்ப்பாடு). இப்பண்பின் காரணத்தால், தாழிறைச்சல் மிகைப்பிகள் அதிக மிகைப்புடன் வடிவமைக்கப்படுகின்றன. இதன் பொருட்டு, சந்தியிகள் (JFET) அல்லது நகர்மையிகள் (HEMT) பயனாகிறது. இந்த மிகைப்பியின் இரைச்சல் அளிப்பைக் கட்டுப்படுத்த, இது அதிக மின்னோட்டத்தில் சாருகையிடப்படுகிறது (biassed). அதிக மின்னோட்டச் சாருகையால் மாது இரைச்சல் (shot noise) குறைவாக இருக்கும். குறுகுப் பட்டை தாழிரைச்சல் சுற்றுகளில் உள்ளீடு மற்றும் வெளியீடு பொருத்தல் சுற்றுகள் (input, output matching circuits) பயனாகின்றன. இப்பொருத்தல் சுற்றுகளில் மின்தடைகளை பயன்படுத்துவதில்லை, ஏனென்றால் மின்தடைகள் வெப்ப இரைச்சலை (thermal noise) அதிகப்படுத்துகின்றன. இப்பொருத்தல் சுற்றுகள் தாழிரைச்சல் மிகைப்பியின் மிகைப்பை மேம்படுத்துகின்றன.

 

M - வரிசை

MAGNETRON - காந்தலைப்பி/காந்தலைவி - நுண்ணலைகளை ஏற்படுத்தும் சாதனம்; இதில் எதிர்மின்வாய் மையப்பகுதியிலும் அதனைச் சுற்றி குழல்வடிவ நேர்மின்வாயும்; இந்த அமைப்பு ஒரு நிலைக்காந்தத்தால் இடையடுக்கப்படுத்தப்பட்டுள்ளது

MICROWAVE - நுண்ணலை

MIXER - கலப்பி

MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) - ஒற்றைப்பாள நுண்ணலைச்சில்லு

 

N - வரிசை

NOISE SOURCE - இரைச்சல் மூலம் - இது இரைச்சல் அளவைகளில் பயனாகும். வெள்ளவிவை (noise diode) கொண்டுள்ளது. சுமப்பி-இரைச்சல் விகிதம் (carrier-to-noise ratio), ஆற்றல்-இரைச்சலடர்வு விகிதம் (energy-noise density ratio - EbN0), துணுக்குப்பிழை வீதம் (bit error rate - BER), மிகை இரைச்சல் விகிதம் (excess noise ratio - ENR) ஆகிய வானலை அளவைகளின் ஈடுபடுகின்றன. குறைகை வலிமை அளவொப்புமை

NON-RETURN TO ZERO (NRZ) - சுழியம் திரும்பா

 

 

O - வரிசை

OSCILLATION - அலைவு

OSCILLATOR - அலைப்பி

OVERSHOOT - மேற்பாய்வு

 

P - வரிசை

PHASE MODULATION - கட்டப் பண்பேற்றம்

PHASE LOCKED LOOP (PLL) - கட்டமடை (வளையம்)

PHASE SHIFT KEYING (PSK) - கட்டப் பெயர்வு இணைத்தல் - சங்கேத குறியீடுகளை பல்வேறு அலைக்கட்டங்களாக பிரதிபலிக்கும் இலக்க பண்பேற்ற முறை

PHASED ARRAY RADAR - கட்டவணி கதிரலைக் கும்பா, கட்டவணி கதுவி

PiN DIODE - நேருள்ளெதிரி, நேருள்ளெதிர் இருமுனையம் - "நேரகம்-உள்ளார்ந்தகம்-எதிரக இருமுனையம் (n region-intrinsic region-p region)" என்பதன் குறுக்கம்; நடுவில் அமையும் உள்ளார்ந்தப் பகுதியால் (intrinsic region) சாதாரண நேரெதிர் இருமுனையத்தைவிட (pn diode) மோசமான மின்திருத்தப் பண்பு (rectification property) கொண்டுள்ளது. நேருள்ளெதிரிகளின் பின்மீட்பு நேரம் (reverse recovery time) அதிகமானது. சாருகையற்ற சூழ்நிலையில், அதன் மின்தேக்கம் (capacitance) குறைவாக இருக்கும். ஆகையால் அது வானலையை சரியாக கடத்தாது. ஆனால் 1mA முன்னோக்குச் சாருகை (forward bias) சூழ்நிலையில் இதன் குறைந்த மின்தேக்கத்தால், இதன் வானலை மின்மறுப்பு 1Ω அளவில் மட்டும் இருப்பதால் அது நன்றாக வானலையை கடத்தும், எனவே, இது ஒரு நல்ல வானலை நிலைமாற்றியாக (RF switch) அமைகிறது. பின்னோக்குச் சாருகை சூழ்நிலையில் அது ஒரு ஒளியுணர்வியாக (photodetector) அமைகிறது.

PULSE SHAPING - துடிப்பிழைப்பு

 

Q - வரிசை

QUALITY (Q) FACTOR - தரக்காரணி - ஒரு வடிப்பியிம் அல்லது ஒத்திசைவுச்சுற்றின் (resonant circuit) மைய அலைவெண்ணிற்கும் அதன் பட்டையகலத்திற்கும் (bandwidth) உள்ள விகிதம். Q = fC/(f2-f1). தரக்காரணி ஒரு ஒத்திசைவுச்சுற்றின் தேர்திறன் அளவை ஆகும்

 

R - வரிசை

RADIO FREQUENCY - வானலை

RESONATOR - ஒத்திசைவி

RINGING - வளையலைவு

RF AMPLIFIER - வானலை மிகைப்பி -

 

S - வரிசை

SELECTIVITY - தேர்திறன்

SHAPE FACTOR - வடிவக்காரணி - ஒரு வடிப்பி அல்லது ஒத்திசைவுச்சுற்றின் (resonant circuit) 60dB பட்டையகலம்-3dB பட்டையகலம் என்கிற விகிதமாகும்; இந்த அளவை ஒரு சுற்றின் பட்டைவரம்பின் ஆழத்தை அளக்கிறது. இந்த எண் குறைவாக இருப்பின், ஒரு சுற்றின் பட்டைவரம்பும் களப்பாக (shallow skirts) அமையும்

SIGNAL TO NOISE RATIO - குறிகை இரைச்சல் விகிதம்

SUPERHETERODYNE - உயர்க்கலக்கிப்பிரிப்பி - இவ்வகையான பெறுவிகளில் உள்ளீடு வானலை ஒரு உள்ளக அலைப்பியுடன் (local oscillator) கலக்கப்பட்டு கூட்டு வேறுபாடு அலைவெண் உறுப்புகள் உற்பத்தியாக்கப்படுகின்றன. இதில் இடையலை (intermediate frequency) எனப்படும் வேறுபாடு அலைவெண் உறுப்பு சுருதிகூட்டப்பட்ட மிகைப்பியால் (tuned amplifier) பிரிக்கப்பட்டு பிறகு உணர்விக்கப்படுகிறது. உள்ளக அலைப்பி வானலைக்கூற்றுகளின் (RF stages) சுருதிகூட்டுச்சுற்றுகளுடன் கூட்டியக்கப்படுகின்றன (ganged). இடையலை அலைவெண் குறைவாக இருப்பதால் ஒரு குறித்தத் தரக்காரணியுடை (Q-factor) சுருதிகூட்டுச்சுற்றுகளின் தேர்திறன் (selectivity) நன்றானவை. மேலும் இடையலை அலைவெண்களில் சுற்றிழப்புகள் (circuit losses) குறைவாகவும் மிகைப்பு அதிமாக உள்ளன. உயர்க்கலக்கிப்பிரிப்புப் பெறுவிகளில் முன்னுணர்வு மிகைப்பு (pre-detection gain) மற்றும் தேர்திறன் இடையலைக் கூற்றால் கட்டுப்படுத்தப்படுவதால் சுருதிகூட்டு வரம்பில் மிகைப்பும் தேர்திறனும் ஒத்தமாக (consistent) அமைகிறது.

SUPERHETERODYNE RECEIVER - உயர்க்கலக்கிப்பிரி பெறுவி

 

T - வரிசை

THIRD ORDER INTERCEPT (TOI, IP3) - மூன்றாம் வரிசை வெட்டு - ஒரு பெறுவி, மிகைப்பி அல்லது கலப்பியின் உருக்குலைவை (distorsion) அல்லது நேரியலின்மையை (non-linearity) விவரிக்கும் கூற்றளவு. இரண்டு அருகு இடைவெளி fdelta கொண்ட தொனிகள் ஒரு பெறுவியிடம் தரப்படுகிறது. இவை கருத்தியலாக அதே fdelta வெளியீடு தொனிகளை உற்பத்தியாக்குகின்றன. இவை இடையலையாக உள்ளக அலைப்பியால் (local oscillator) இடமாற்றப்படுகின்றன. ஆனால் பெறுவியின் நேரியலின்மையால் மூன்றாம் வரிசை தொனிகளும் (third order tones) உருவாகின்றன. இந்தத் தொனிகள் வேண்டியத் தொனிகளிருந்து fdelta இடைவெளி மேலும் கீழும் மெலிந்த மட்டமாக அமைகின்றன. உள்ளீடு தொனிகளின் திறன் மட்டம் (power level) அதிகரித்தால், இந்த இசையத் தொனிகள் 3dB/dB வீதத்தில் அதிகரிக்கின்றன, ஆனால் வேண்டிய அசல் தொனிகள் 1dB/dB வீதத்தில் மட்டும் தான் அதிகரிக்கின்றன. IP3 அல்லது TOI என வகைக்குறிக்கப்படும் மூன்றாம் வரிசை வெட்டுப் புள்ளி இவ்விசையத் தொனிகளும் (harmonic tones) அசல் வெளியீடுத் தொனிகளும் ஒரே மட்டமடைதல். அசல் தொனிகள் f1, f2 இருப்பின், இரண்டாம் வரிசை உருக்குலைவு பெருக்கங்கள் (second order distorsion products) f1-f2, 2f1, f1+f2, 2f2 ஆகும். இவை தேவையானத் தொனிகளுக்கு தொலைவாக அமைவதால் வடிப்பிடப்பட்டு நீக்கப்படுகின்றன. மூன்றாம் வரிசை உருக்குலைவு பெருக்கங்கள் (third order distorsion products) தேவைப்படும் தொனிகளுக்கு அருகில் 2f2-f1இலும் மற்றும் தொலைவில் 3f1, 2f1+f2, f1+2f2, 3f2இலும் அமைகின்றன. இதில் அருகிலுள்ள இசையங்களை நீக்க முடியாததால், இந்த மூன்றாம் வரிசை வெட்டுப்புள்ளி மதிப்பில் ஒரு பங்கு வகிக்கின்றன.

TUNED AMPLIFIER - இசைப்புறு மிகைப்பி - ஒரு ஒத்திசைவுச்சுற்றை (resonant circuit) ஈடுபடுத்தும் மிகைப்பி; இது ஒரு குறுகிய அலைவெண் பட்டையைத் தேர்ந்து மிகைப்பிகும்.

TUNER - இசைப்பி

 

U - வரிசை

UNDERSHOOT - கீழ்ப்பாய்வு

UMOS (TRENCH MOSFET) - அகழியுயிரகி, அகழிமாழையுயிரகி - இந்த மாழையுயிரகி அமைப்பில் அடித்தளம் மீது ஒரு U-பொளி வெட்டப்படுகிறது. இது இரண்டு மாழையுயிரகிகளை ஏற்படுத்துகிறது படம்

 

V - வரிசை

VMOS (VERTICAL MOSFET) - நெடுவுயிரகி, நெடுமாழையுயிரகி, நெடுப்பொளி மாழையுயிரகி - இந்த மாழையுயிரகி அமைப்பில் அடித்தளம் மீது ஒரு V-பொளி வெட்டப்படுகிறது. இந்த சாதனத்தின் வாயில்வாய் V-வடிவமானது குறைபாடகத்தின் வடிவத்தால் (shape of depletion region) அகலமான தடத்தை (wide channel) உருவாக்கி மூலவாய் வடிவாய் இடையே மிக அதிக மின்னோட்டத்தை தாங்க வழிசெய்யும் படம்

 

W - வரிசை

WAVEGUIDE - அலையடை, அலைவழிப்படுத்தி, அலைவழிகாட்டி

 

X - வரிசை

 

Y - வரிசை

YTTRIUM IRON GARNET (YIG) FILTER - திகழியவிரும்புக் கருமணிக்கல் வடிப்பி, திகழிமணி வடிப்பி - திகழியவிரும்புக் கருமணிக்கல் படிகத்தின் தரக்காரணி மிக உயர்வானது. ஆகையால் இது அலைப்பிகளிலும் (oscillators) மற்றும் பன்னெண்மச் சுருதிக்கூட்டிகளிலும் (multi-octave tuners) மிகக் குறைவான இறைச்சலை தருகிறது, திகழியவிரும்புக் கருமணிக்கல் படிகங்கள் குறைக்கடித்திகள் போல் 10-30 சிற்றங்குல (mil, milli-inch) கோள வடிவத்தில் வளர்க்கப்படுகின்றன. திகழியவிரும்புக் கருமணிக்கல் மூலதனம் நேர்மின்னழுத்தக் காந்தப்புலத்தில் (DC magnetic field) மூழ்கப்படும் போது நுண்ணலை அலைவெண்கள் (microwave frequencies) ஒத்திசைவிக்கின்றது. வடிப்பிகளில் இப்படிகங்கள் வெளிரியப் "பிணைப்பு வளையங்களில்" (berylium "coupling loops") அமைக்கப்படுகின்றன, செங்குத்தாக இரண்டு பிணைப்பு வளையங்கள் அமைந்திருந்தால் பட்டைவிடு வடிப்பிகள் உருவாக்கலாம்; இரண்டு படிகங்களில் நேர்வரிசையாக பிணைப்பு வளையங்கள் அமைதிருந்தால், பட்டைத்தடு வடிப்பிகள் உருவாக்கலாம்.

 

Z - வரிசை

 

தொடரும்...

 

பிற அகராதி இணைப்புகள்

TAMIL VIRTUAL UNIVERSITY DICTIONARIES


அகம் தொழில்நுட்பம் இணைய தகவல்தளம்/THOZHILNUTPAM.COM

புதுப்பிப்பு காரிக்கிழமை, 16 சிலைச்சுறவம் / மார்கழித்தை, 2021 Flag Counter